牛津儀器 電感耦合等離子體刻蝕PlasmaPro 80 ICP
名稱：其他儀器與工具
品牌：
型號(hào)：
簡(jiǎn)介：牛津儀器 電感耦合等離子體刻蝕PlasmaPro 80 ICP 是一種結(jié)構(gòu)緊湊、小型且使用方便的直開(kāi)式系統(tǒng)，可提供多種刻蝕解決方案。 它易于放置，便于使用，且能夠確保工藝質(zhì)量。直開(kāi)式設(shè)計(jì)允許快速的進(jìn)行晶圓裝卸，是科學(xué)研究、原型設(shè)計(jì)和少量生產(chǎn)...
申請(qǐng)服務(wù)
- 產(chǎn)品介紹
牛津儀器 電感耦合等離子體刻蝕PlasmaPro 80 ICP是一種結(jié)構(gòu)緊湊、小型且使用方便的直開(kāi)式系統(tǒng)，可提供多種刻蝕解決方案。 它易于放置，便于使用，且能夠確保工藝質(zhì)量。直開(kāi)式設(shè)計(jì)允許快速的進(jìn)行晶圓裝卸，是科學(xué)研究、原型設(shè)計(jì)和少量生產(chǎn)的理想選擇。 該設(shè)備通過(guò)優(yōu)化了的電極冷卻技術(shù)和出色的襯底溫度控制來(lái)實(shí)現(xiàn)高度穩(wěn)定的工藝結(jié)果。
-
直開(kāi)式設(shè)計(jì)允許快速裝卸晶圓
-
出色的刻蝕深度和刻蝕速率控制
-
出色的晶圓溫度均勻性
-
晶圓最大可達(dá)200mm
-
購(gòu)置成本低
-
符合半導(dǎo)體行業(yè) S2 / S8標(biāo)準(zhǔn)
牛津儀器 電感耦合等離子體刻蝕PlasmaPro 80 ICP應(yīng)用
- III-V族材料刻蝕工藝
- 硅 Bosch和超低溫刻蝕工藝
- 二氧化硅和石英刻蝕
- 用于失效分析的干法刻蝕解剖工藝，可處理封裝好的芯片、 裸晶片以及200mm晶圓
- 用于高亮度LED生產(chǎn)的硬掩模的沉積和刻蝕
牛津儀器 電感耦合等離子體刻蝕PlasmaPro 80 ICP特點(diǎn)
- 小型系統(tǒng) —— 易于安置
- 優(yōu)化的電極冷卻系統(tǒng) —— 襯底溫度控制
- 高導(dǎo)通的徑向（軸對(duì)稱）抽氣結(jié)構(gòu) —— 確保能提升工藝均勻性和速率
- 增加<500毫秒的數(shù)據(jù)記錄功能 —— 可追溯腔室和工藝條件的歷史記錄
- 近距離耦合渦輪泵 —— 抽速高迅速達(dá)到所要求的低真空度
- 關(guān)鍵部件容易觸及 ——系統(tǒng)維護(hù)變得直接簡(jiǎn)單
- X20控制系統(tǒng)——大幅提高了數(shù)據(jù)信息處理能力， 并且可以實(shí)現(xiàn)更快更可重復(fù)的匹配
- 通過(guò)前端軟件進(jìn)行設(shè)備故障診斷 —— 故障診斷速度快
- 用干涉法進(jìn)行激光終點(diǎn)監(jiān)測(cè) —— 在透明材料的反射面上測(cè)量刻蝕深度 (例如硅上的氧化物)，或者用反射法來(lái)確定非透明材料 (如金屬) 的邊界
- 用發(fā)射光譜（OES）實(shí)現(xiàn)較大樣品或批量工藝的終點(diǎn)監(jiān)測(cè) —— 監(jiān)測(cè)刻蝕副產(chǎn)物或反應(yīng)氣體的消耗量的變化，以及用于腔室清洗的終點(diǎn)監(jiān)測(cè)
ICP刻蝕是一種被廣泛使用的技術(shù)，可提供高速率、高選擇比以及低損傷的刻蝕。等離子體能夠在低氣壓下保持穩(wěn)定，因此能夠更好地控制刻蝕形貌。 Cobra® ICP刻蝕源在低氣壓下仍可產(chǎn)生高密度的反應(yīng)粒子。襯底上的直流偏壓由一個(gè)射頻發(fā)生器獨(dú)立控制, 因此可根據(jù)工藝要求控制離子能量。
電感耦合等離子體刻蝕要點(diǎn)
- 高刻蝕速率
- 出色的均勻性
- 低氣壓下高密度的反應(yīng)粒子
- 精準(zhǔn)的襯底直流偏壓控制
- 精準(zhǔn)的離子能量控制
- 更寬的電極溫度范圍 -150ºC至+400ºC
電感耦合等離子體刻蝕特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì)
- 高刻蝕速率可由高離子密度（> 1011 /cm3）和高自由基密度來(lái)實(shí)現(xiàn)
- 能夠利用低離子能量實(shí)現(xiàn)對(duì)選擇比和損傷的控制
- 獨(dú)立的射頻和電感耦合等離子體發(fā)生器分別提供了對(duì)離子能量和離子密度的獨(dú)立控制, 從而實(shí)現(xiàn)了高度的工藝靈活性
- 在低氣壓工藝下同時(shí)仍具有高離子密度，這樣可以改善對(duì)外形的控制
- 化學(xué)和離子誘導(dǎo)刻蝕
- 也可以在RIE模式下運(yùn)行，以滿足某些慢速刻蝕的需要
- 可用于ICP－CVD模式的沉積
- 高導(dǎo)通的泵送端口可提供高氣體流量，以實(shí)現(xiàn)快速的刻蝕速率
- 靜電屏蔽消除了電容耦合，減少了對(duì)器件的電學(xué)損傷，以及在腔室內(nèi)減少了雜質(zhì)顆粒的形成
- 標(biāo)準(zhǔn)化的晶圓壓盤(pán)與氦冷卻，提供了出色的溫度控制，同時(shí)可以選擇更寬的溫度范圍
最新產(chǎn)品
相關(guān)產(chǎn)品
