牛津儀器 PlasmaPro 100 ICPCVD
名稱(chēng)：其他儀器與工具
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簡(jiǎn)介：牛津儀器 PlasmaPro 100 ICPCVD特點(diǎn) 更好的均勻性、高產(chǎn)量以及高精度的工藝 高質(zhì)量薄膜 電極的適用溫度范圍寬 兼容200mm以下所有尺寸的晶圓 快速更換不同尺寸晶圓 購(gòu)置成本低且易于維護(hù) 緊密的設(shè)計(jì)，布局靈活 電阻絲加熱電...
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- 產(chǎn)品介紹
牛津儀器 PlasmaPro 100 ICPCVD特點(diǎn)
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更好的均勻性、高產(chǎn)量以及高精度的工藝
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高質(zhì)量薄膜
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電極的適用溫度范圍寬
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兼容200mm以下所有尺寸的晶圓
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快速更換不同尺寸晶圓
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購(gòu)置成本低且易于維護(hù)
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緊密的設(shè)計(jì)，布局靈活
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電阻絲加熱電極，最高溫度可達(dá)400°C或1200°C
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實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)清洗工藝， 并且可自動(dòng)停止工藝
牛津儀器 PlasmaPro 100 ICPCVD應(yīng)用
- 在低溫度下沉積低損傷的薄膜
- 可沉積的典型材料包括： SiO2、Si3N4 、 SiON、Si 和 SiC，襯底溫度可低至5ºC
- 65mm、180mm、300mm 尺寸的ICP源 提供了工藝的均勻性
- 晶圓尺寸高至200mm
- 電極的溫度范圍為5ºC至400ºC
- 已獲得專(zhuān)利的ICPCVD氣體配送技術(shù)
- 實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)清洗工藝， 并且可自動(dòng)停止工藝
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